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IPT60R102G7 Infineon MOSFET

日期:2020-08-07 17:46    发布企业: 深圳市斌腾达科技有限公司

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安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 23 A
Rds On-漏源导通电阻: 88 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 141 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
系列: CoolMOS G7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns

1)性能:当然,这主要是指带宽,大量的磁盘和节点,结合适当的数据分发策略,可以实现较高的总带宽。分布式存储主要是一个IP/IB网络。在延迟方面,它没有超过传统的光纤通道存储区域网。

分布式存储服务器2)价格:传统存储,特别是exX和IXX的价格惊人的高,利润率太高。而且,一旦上机,只能使用厂家所谓的专用磁盘进行扩容,这是市场上同类磁盘的n倍,工程师的服务费也很高。分布式存储通常用于市场上常见的服务器(当然,它支持多个磁盘)和通用磁盘,并且可以运行公共IP网络?;竦孟嗤萘亢托阅艿某杀究梢越档鸵桓鍪考?。

3) 可扩展性和可访问性:传统存储的可扩展性非常有限。一个机头拖N个盘柜就不错了,N一般是个位数。每个机头部通常是独立的,如果您想要一个以上的共享存储,最好是分发。

就应用程序环境而言,我认为分布式存储适合具有强大的操作和维护能力,甚至强大的开发能力的用户。传统存储的每个版本都必须经过长时间的开发和测试,硬件由制造商提供,型号有限,文档和服务齐全。

分布式存储服务器然而,许多分布式版本都是开源的,或者公司提供基于开源系统的支持服务。版本迭代比较快,用户的硬件设备和配置也大不相同。如果有问题,你可能需要自己解决。

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