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IPT029N08N5 Infineon MOSFET

日期:2020-08-07 18:07    发布企业: 深圳市斌腾达科技有限公司

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安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 169 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 75 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns

昨日(8月4日),国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》(以下简称《政策》),提出为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业创新能力和发展质量,制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施。

其中,财税等方面的规定,或将为半导体行业带来一些显著的利好,甚至在这个中美贸易战持续、脱钩风险亦不可忽视的「大?;贡尘跋?,催生出难得的产业「大机遇」。(参见《国家助力:推进集成电路产业和软件产业集聚发展》)

《政策》提出,国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含),且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目,第一年至第十年免征企业所得税?!谝欢ㄊ逼谀?,对集成电路重大项目进口新设备,准予分期缴纳进口环节增值税。

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